描述：SEM3200是一款高性能、應(yīng)用廣泛的通用型鎢燈絲掃描電子顯微鏡。擁有出色的成像質(zhì)量、可兼容低真空模式、在不同的視場(chǎng)范圍下均可得到高分辨率圖像。大景深，成像富有立體感。豐富的擴(kuò)展性，助您在顯微成像的世界中盡情探索。
碳材料樣品，低電壓下，穿透深度較小，可以獲取樣品表面真實(shí)形貌，細(xì)節(jié)更豐富。
毛發(fā)樣品，在低電壓下，電子束輻照損傷減小，同時(shí)消除了荷電效應(yīng)。
過濾纖維管材料，導(dǎo)電性差，在高真空下荷電明顯，在低真空下，無需鍍膜即可實(shí)現(xiàn)對(duì)不導(dǎo)電樣品的直接觀察。
生物樣品，采用大視場(chǎng)觀察，能夠輕松獲得瓢蟲整體形貌及頭部結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)，展現(xiàn)跨尺度分析。
想看哪里點(diǎn)哪里，導(dǎo)航更輕松
標(biāo)配倉內(nèi)攝像頭，可拍攝高清樣品臺(tái)照片，快速定位樣品。
可通過雙擊移動(dòng)、鼠標(biāo)中鍵拖動(dòng)、框選放大，進(jìn)行快捷導(dǎo)航
如框選放大：在低倍導(dǎo)航下，獲得樣品的大視野情況，可快速框選您感興趣的樣品區(qū)域，提高工作效率。
采取多維度的防碰撞方案：
1. 手動(dòng)輸入樣品高度，精準(zhǔn)控制樣品與物鏡下端距離，防止發(fā)生碰撞；
2. 基于圖像識(shí)別和動(dòng)態(tài)捕捉技術(shù)，運(yùn)動(dòng)過程中對(duì)倉內(nèi)的畫面進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)；
3. 硬件防碰撞，可在碰撞一瞬間停止電機(jī)，減少碰撞損傷。(*SEM3200A需選配此功能）
直觀反映整個(gè)視野的像散程度，通過鼠標(biāo)點(diǎn)擊清晰處，可快速調(diào)節(jié)像散至最佳。
一鍵聚焦，快速成像。
一鍵消像散，提高工作效率。
一鍵自動(dòng)亮度對(duì)比度，調(diào)出灰度合適圖像。
SEM3200軟件支持一鍵切換SE和BSE的混合成像。可同時(shí)觀察到樣品的形貌信息和
成分信息。
拖動(dòng)一條線，圖像立刻“擺正角度"。
掃描電子顯微鏡不僅局限于表面形貌的觀察，更可以進(jìn)行樣品表面的微區(qū)成分分析。
SEM3200接口豐富，除支持常規(guī)的二次電子探測(cè)器（ETD）、背散射電子探測(cè)器（BSED）、X射線能譜儀（EDS）外，也預(yù)留了諸多接口，如電子背散射衍射（EBSD）、陰極射線（CL）等探測(cè)器都可以在SEM3200上進(jìn)行集成。
背散射電子成像模式下，荷電效應(yīng)明顯減弱，并且可以獲得樣品表面更多的成分信息。
鍍層樣品：
鎢鋼合金樣品：
探測(cè)器設(shè)計(jì)精巧，靈敏度高，采用4分割設(shè)計(jì)，無需傾斜樣品，可獲得不同方向的陰影像以及成分分布圖像。
四個(gè)單通道的陰影像
成分像
LED小燈珠能譜面分析結(jié)果。 
鎢燈絲電鏡束流大，滿足高分辨EBSD的測(cè)試需求，能夠?qū)饘佟⑻沾伞⒌V物等多晶材料進(jìn)行晶體取向標(biāo)定以及晶粒度大小等分析。
該圖為Ni金屬標(biāo)樣的EBSD反極圖，能夠識(shí)別晶粒大小和取向，判斷晶界和孿晶，對(duì)材料組織結(jié)構(gòu)進(jìn)行精確判斷。
普通芯片-1
普通芯片-2
負(fù)極-碳
負(fù)極-碳包硅
正極-鈷酸鋰
正極-錳酸鋰
太陽能電池-1
太陽能電池-2
高分子泡沫
催化劑-MOF材料
2A12鋁合金析出相
Mg-Zn合金化合物層
不銹鋼-黃銅焊接件
鈦合金基體組織
合金斷口脆性+韌性
韌性斷口
鋼鐵夾雜物BSE
鋼鐵夾雜物SE
硅藻-1
硅藻-2
雞葡萄球菌-1
雞葡萄球菌-2
大米
糯米淀粉顆粒-1
糯米淀粉顆粒-2
受潮鹽顆粒
粉體-鈦酸鋇
粉體-liusuan鎂
粉體-氧化鋁
過濾功能材料
巖石
納米材料-二氧化硅微球
SiC陶瓷BSE
SiC陶瓷SE
陶瓷復(fù)合材料
| 型號(hào) | SEM3200A | SEM3200 | ||
|---|---|---|---|---|
| 電子光學(xué)系統(tǒng) | 電子槍類型 | 預(yù)對(duì)中型發(fā)叉式鎢燈絲電子槍 | ||
| 分辨率 | 高真空 | 3 nm @ 30 kV（SE） | ||
| 4 nm @ 30 kV（BSE） | ||||
| 8 nm @ 3 kV（SE） | ||||
| *低真空 | 3 nm @ 30 kV（SE） | |||
| 放大倍率 | 1-300,000x（底片倍率） | |||
| 1-1000,000x（屏幕倍） | ||||
| 加速電壓 | 0.2 kV～30 kV | |||
| 成像系統(tǒng) | 探測(cè)器 | 二次電子探測(cè)器（ETD） | ||
| *背散射電子探測(cè)器、*低真空二次電子探測(cè)器、*能譜儀EDS等 | ||||
| 圖像保存格式 | TIFF、JPG、BMP、PNG | |||
| 真空系統(tǒng) | 真空模式 | 高真空 | 優(yōu)于5×10-4 Pa | |
| *低真空 | 5～1000 Pa | |||
| 控制方式 | 全自動(dòng)控制 | |||
| 樣品室 | 攝像頭 | 光學(xué)導(dǎo)航 | ||
| 樣品倉內(nèi)監(jiān)控 | ||||
| 樣品臺(tái)配置 | 三軸自動(dòng) | 五軸自動(dòng) | ||
| 行程 | X: 120 mm | X: 120 mm | ||
| Y: 115 mm | Y: 115 mm | |||
| Z: 50 mm | Z: 50 mm | |||
| / | R: 360° | |||
| / | T: -10°～ +90° | |||
| 軟件 | 語言 | 中文 | ||
| 操作系統(tǒng) | Windows | |||
| 導(dǎo)航 | 光學(xué)導(dǎo)航、手勢(shì)快速導(dǎo)航 | |||
| 自動(dòng)功能 | 自動(dòng)亮度對(duì)比度、自動(dòng)聚焦、自動(dòng)像散 | |||
| 特色功能 | 智能輔助消像散、*大圖拼接（選配軟件） | |||
| 安裝要求 | 房間 | 長 ≥ 3000 mm，寬 ≥ 4000 mm，高 ≥ 2300 mm | ||
| 溫度 | 20 ℃～25 ℃ | |||
| 濕度 | ≤ 50 % | |||
| 電氣參數(shù) | 電源AC 220 V(±10 %)，50 Hz，2 kVA | |||
